台积电击溃NEC 拿下Xbox360芯片订单

　　作者：Digitimes

　　台积电(TSMC)内存市场布局再传捷报！台积电与微软(Microsoft)共同宣布，未来将采用台积电90纳米(eDRAM)制程生产Xbox 360绘图芯片内建内存，这也代表，台积电击溃日本NEC，自代工Xbox 360绘图芯片与北桥后，再度攻下一城；而显示双雄eDRAM订单，台积电则全数到手！加上联电(UMC)也积极抢食此市场，嵌入式内存已成为晶圆代工业者的新竞争舞台。

　　台积电过去便曾以65纳米eDRAM制程替显示芯片大客户恩威迪亚(NVIDIA)代工，主要是用于需要较低功耗的掌上型装置绘图芯片市场；而此次台积电宣布拿下微软Xbox360显示芯片嵌入式内存订单，Xbox360显示芯片乃由超威提供(原本供货商为ATI，后为超威合并)，因此台积电eDRAM可说同时获两大绘图芯片双雄的青睐。

XB360芯片

　　据了解，台积电替Xbox360生产的显示芯片嵌入式内存，采90奈米制程，具备80Mb高密度宏设计和500MHz高速效能，目前已投产。半导体业者认为，由于Xbox360在竞争对手任天堂(Nitendo)Wii市场竞争压力下，不得不降价求售，并迫使其从原本供货商NEC转换给成本效率较高的台积电手中生产，同时，台积电过去替大客户NVIDIA生产全套解决方案，也是客户将订单从NEC转而青睐台积电的主因。

　　台积电先进技术营销处资深处长尉济时表示，微软Xbox 360的显示芯片采用台积90纳米eDRAM制程技术，证明台积电此一制程技术的能力与成熟度；微软半导体技术部资深处长Bill Adamec则说，台积电提供的制程技术与芯片制造服务，将协助微软提升产品竞争力，强化微软多媒体游戏娱乐系统市场地位。

　　台积电的eDRAM制程技术已开发90、65纳米制程两个世代，由于台积电已与显示芯片业者合作下一世代55纳米制程技术，预料未来台积电的eDRAM也将顺势进入55纳米制程，而NEC eDRAM则已进展55纳米制程，双方差异缩小。NEC同时是微软Xbox360及Wii eDRAM的供应晶圆厂，过去在eDRAM市场可说市占极高，但台积电逐渐囊获显示芯片业者青睐，未来压迫到NEC市占率的压力将不断升高。

　　台积电、联电对于内存市场皆不乏积极作为，台积电预估，今年内存占营收比重可望达个位数，台积电目前最大的内存客户乃是飞索(Spansion)以南科12吋厂先进制程替其量产NOR Flash；联电则拿下赛普拉斯(Cypress Semiconductor)65纳米以下SRAM订单。而嵌入式内存领域，联电过去也曾与意法半导体携手合作eDRAM，联电董事长兼胡国强认为，未来不论是Flash、eDRAM都是SoC潮流下很重要的一环。

　　小知识：

　　eDRAM(增强动态随机存储器)是一种动态随机内存，其在大量的DRAM中包括了一小部分的静态RAM(SRAM)，因此许多内存存取将会比SRAM更快。eDRAM有时当作L1和L2型内存并同加强同步动态DRAM一同使用，被称为高速缓冲DRAM。eDRAM用于许多游戏平台，包括PlayStation 2、PSP、Nintendo GameCube, Wii以及Xbox360。

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编辑：OTACON